SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)功率器件作為新一代半導體材料，近年來在電力電子市場中展現出巨大的應用潛力和市場前景。
根據Yole Development的預測，SiC市場規模將從2023年的10億美元快速增長至2027年的63億美元，2030年更將突破150億美元，年復合增長率高達35%。預計到2028年，全球SiC Power Device市場規模有望達到91.7億美金。
根據中研普華研究院撰寫的《2024-2029年中國SiC和GaN功率器件行業市場環境與投資分析報告》顯示：
SiC和GaN功率器件行業市場環境與投資分析
SiC和GaN功率器件為代表的核心材料是芯片性能的提升的基石，SiC和GaN功率器件一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以硅為代表;第二代半導體材料砷化鎵也已經廣泛應用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的SiC和GaN功率器件材料，相較前兩代產品性能優勢顯著。
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct band gap)的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-statelaser)的條件下，產生紫光(405nm)激光。
中國碳化硅外延設備市場規模也在逐年增長，2023年約為13.07億元人民幣，預計到2026年將增至26.86億元。
預計到2023年全球GaN功率元件市場規模將達到約2.71億美元(折合人民幣約19.39億元)，而到2030年有望上升至43.76億美元(折合人民幣約313.14億元)，復合年增長率達到49%。
SiC市場競爭
SiC產業在產能供應方面一直面臨緊缺局面，特別是襯底供應。業內龍頭企業普遍采取與供應商簽署長期供貨協議的策略，以確保穩定的需求供應。
隨著新參與者的市場進入和供應商新增產能的逐步量產，SiC產業鏈從襯底、外延到器件的供應合作已呈現出更為多樣化的趨勢。
GaN市場競爭
隨著英飛凌、德州儀器等企業在GaN技術上的不斷投入，功率型GaN產業的發展將會進一步加速。
SiC和GaN功率器件技術發展趨勢與挑戰
SiC技術發展趨勢
未來的SiC器件可能會在性能上進一步提升，例如更高的擊穿電場、更低的導通電阻、更快的開關速度等，從而滿足更苛刻的工業應用要求。
SiC器件可能會與其他技術(如氮化鎵、人工智能等)相結合，創造出更具創新性的工業應用解決方案。
GaN技術將繼續發展，以滿足更高功率密度和能效的需求。
隨著技術的不斷成熟和生產成本的降低，GaN的應用將變得更加廣泛。
多層次的政策及補貼給SiC和GaN功率器件的發展帶來了良好的支持，進一步推動了行業的發展。
隨著全球減碳目標和能源轉型的推進，SiC和GaN功率器件因其高效率、低損耗的特點，在新能源發電、高壓直流輸電等領域得到廣泛應用，有助于推動綠色能源的發展。
綜上，SiC和GaN功率器件市場具有廣闊的發展前景和巨大的市場潛力。隨著技術的不斷進步和應用領域的拓展，SiC和GaN功率器件將在電力電子市場中發揮更加重要的作用。
在激烈的市場競爭中，企業及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。中研網撰寫的SiC和GaN功率器件行業報告對中國SiC和GaN功率器件行業的發展現狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業的政策環境、經濟環境、社會環境及技術環境等方面分析行業面臨的機遇及挑戰。同時揭示了市場潛在需求與潛在機會，為戰略投資者選擇恰當的投資時機和公司領導層做戰略規劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據，同時對政府部門也具有極大的參考價值。
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