隨著半導體先進封裝、MEMS傳感器、光通信等領域的快速發展,TGV技術作為新型互連解決方案將在中國迎來重要發展機遇。
中研普華產業研究院《2026-2030年中國TGV通孔玻璃行業深度調研及發展前景預測報告》分析認為,在政策支持、技術迭代和市場需求三重驅動下,中國TGV通孔玻璃行業有望在未來五年實現穩健增長,但同時也面臨技術壁壘、國際競爭和供應鏈安全等多重挑戰。
一、行業概述
1.1 TGV通孔玻璃技術定義與特點
TGV(Through Glass Via)通孔玻璃技術是指在玻璃基板上通過激光、濕法/干法刻蝕、電化學等工藝形成高深寬比的垂直互連通道的一種先進制造技術。相比傳統的硅通孔技術(TSV),TGV具有以下顯著優勢:
優異的電學性能:玻璃材料具有低介電常數、低損耗特性,適合高頻信號傳輸
卓越的光學特性:透明特性使TGV在光電集成領域具有天然優勢
熱穩定性:玻璃材料熱膨脹系數低,熱穩定性優于硅基材料
成本優勢:玻璃基板成本較低,且可實現更大面積的加工
電磁屏蔽性能:可提供更好的電磁干擾(EMI)屏蔽效果
1.2 TGV技術應用場景
TGV技術已在多個前沿領域獲得應用:
先進封裝:2.5D/3D Chiplet集成、Fan-Out封裝
MEMS傳感器:慣性傳感器、壓力傳感器、麥克風等
光電子器件:光通信模塊、光互連、光子集成電路
射頻器件:5G/6G毫米波濾波器、天線
生物醫療:微流控芯片、生物傳感器
二、全球TGV行業發展現狀
2.1 全球市場格局
全球TGV技術主要由歐美日企業主導,如美國的Corning、德國的Schott、日本的AGC等玻璃基板供應商,以及應用材料(Applied Materials)、東京電子(TEL)等設備廠商在TGV工藝設備領域占據領先地位。
近年來,歐美企業通過持續研發投入,在TGV高深寬比通孔制造、金屬化填充等核心工藝上取得突破,構建了較高的技術壁壘。
2.2 技術演進路徑
全球TGV技術正沿著以下方向發展:
更高深寬比:從當前的10:1向30:1甚至更高發展
更小孔徑:從50μm向10μm以下發展
更高密度:通孔密度持續提升,滿足高I/O需求
異質集成:TGV與其他材料、技術的集成方案不斷涌現
工藝簡化:降低工藝復雜度,提高良率,降低成本
3.1 產業發展階段
中國TGV行業目前處于產業化初期階段,已實現從實驗室技術向小批量生產的過渡。國內部分科研院所如中科院、清華大學等在TGV基礎研究方面取得一定成果;部分企業如凱盛科技、東旭光電、長信科技等已開始布局TGV相關技術和產品,但與國際先進水平相比仍存在差距。
3.2 政策支持環境
近年來,中國政府對半導體產業鏈的重視程度不斷提升:
"十四五"規劃明確提出加強先進封裝技術研發與產業化
《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》為半導體材料企業提供稅收優惠
國家大基金對半導體材料、設備領域持續投入
地方政府對半導體產業集群提供土地、資金等多方面支持
這些政策為中國TGV技術發展創造了良好環境,但專項針對TGV技術的政策支持力度仍需加強。
3.3 產業鏈配套情況
中國TGV產業鏈各環節發展不均衡:
上游材料:高端玻璃基板仍依賴進口,國產替代進程緩慢
設備領域:激光鉆孔、刻蝕、電鍍等核心設備國產化率低
工藝技術:高深寬比TGV形成、金屬化填充等核心工藝尚未完全突破
下游應用:國內先進封裝、MEMS傳感器等領域發展迅速,對TGV需求增長明顯
四、技術發展趨勢分析(2026-2030)
4.1 材料創新
低膨脹系數玻璃:滿足高精度應用場景需求
高透光率特種玻璃:提升光學器件性能
復合玻璃基板:通過材料復合提升綜合性能
超薄柔性玻璃:滿足可穿戴設備需求
4.2 工藝技術突破
激光工藝優化:超快激光技術提升加工精度與效率
干法/濕法刻蝕結合:提高深寬比和表面質量
金屬化填充技術:解決填充空洞、界面結合問題
低溫鍵合技術:降低熱預算,提升集成兼容性
4.3 集成方案演進
TGV+TSV混合集成:發揮各自優勢,實現最佳性價比
玻璃-硅異質集成:結合玻璃的光學特性和硅的電學性能
多層TGV堆疊:實現更高維度的垂直互連
TGV與MEMS/光電子器件單片集成:提升系統性能,降低成本
五、市場需求分析與預測(2026-2030)
5.1 驅動因素
半導體先進封裝需求增長:摩爾定律放緩,先進封裝成延續性能提升關鍵路徑
5G/6G通信發展:高頻通信對低損耗互連材料需求增加
物聯網設備爆發:各類傳感器對低成本、高性能封裝需求激增
消費電子升級:AR/VR、可穿戴設備對微型化、高集成度需求提升
國產替代加速:中美技術競爭背景下,國內供應鏈安全需求增強
5.2 應用領域需求預測
先進封裝領域:預計2030年需求占比達45%,年復合增長率22%
MEMS傳感器:預計2030年需求占比25%,年復合增長率18%
光通信模塊:預計2030年需求占比18%,年復合增長率20%
射頻器件:預計2030年需求占比10%,年復合增長率15%
其他新興應用:預計2030年需求占比2%,年復合增長率25%
5.3 市場規模預測
預計2026年中國TGV通孔玻璃市場規模約8億元人民幣,2030年有望達到25億元人民幣,年復合增長率約33%。其中,高端玻璃基板占40%,TGV加工服務占35%,設備及材料占25%。
六、競爭格局分析
6.1 國際競爭態勢
國際TGV市場呈現寡頭壟斷格局,Corning、Schott、AGC等國際巨頭憑借深厚技術積累和完整產業鏈布局,在高端TGV市場占據主導地位。這些企業通過專利壁壘、供應鏈控制和客戶綁定等策略,構建了較高的進入門檻。
6.2 國內企業競爭狀況
國內TGV企業可分為三類:
傳統玻璃材料企業:如凱盛科技、東旭光電、長信科技等,具備玻璃基板生產能力,但TGV工藝技術積累不足
半導體材料/設備企業:如北方華創、中微公司等,在部分設備和工藝上有一定基礎,但TGV專用設備和工藝經驗不足
專業TGV技術初創企業:具有創新技術路線,但產業化能力和資金實力較弱
6.3 技術差距分析
中國TGV技術與國際先進水平相比,存在以下差距:
玻璃基板:高端顯示玻璃、用于TGV的低膨脹系數玻璃基板純度、均勻性不足
核心設備:高精度激光加工設備、刻蝕設備、電鍍設備嚴重依賴進口
工藝技術:高深寬比TGV形成良率低,金屬化填充工藝不成熟
集成方案:系統集成設計能力不足,缺乏整體解決方案
7.1 投資機會
高端玻璃基板國產替代:特種低膨脹系數玻璃、光學玻璃等高附加值材料
TGV專用設備開發:激光加工、深孔刻蝕、電鍍等核心工藝設備
工藝技術服務:為下游封裝企業提供TGV加工服務
新興應用開發:生物醫療、量子計算等新興領域的TGV應用
產業鏈整合:縱向整合玻璃基板、TGV加工、封裝測試等環節
7.2 風險因素
技術風險:核心工藝技術突破不及預期,良率提升緩慢
市場風險:下游需求不及預期,國際巨頭降價競爭
政策風險:產業政策調整,補貼力度變化
供應鏈風險:關鍵設備、材料受制于人,國際供應鏈不穩定
人才風險:高端復合型人才短缺,技術團隊穩定性挑戰
八、企業發展戰略建議
8.1 對材料企業的建議
加大高端玻璃基板研發投入,突破材料純度、熱膨脹系數等關鍵指標
與下游封裝企業深度合作,開發定制化玻璃基板解決方案
通過并購或戰略合作獲取TGV工藝技術,實現產業鏈延伸
8.2 對設備企業的建議
聚焦TGV核心工藝設備,如激光鉆孔、深孔刻蝕、電鍍等關鍵環節
與科研院所合作,攻克高精度、高效率、高穩定性技術難題
提供整體解決方案,而不僅限于單一設備
8.3 對TGV加工服務企業的建議
專注細分應用領域,成為細分市場專家
建立嚴格的質量控制體系,提高良率和一致性
拓展增值服務,如設計支持、可靠性測試等
8.4 通用戰略建議
重視知識產權布局,構建技術壁壘
培養跨學科人才團隊,提升系統集成能力
積極參與行業標準制定,提升話語權
探索國際合作新模式,在開放中提升競爭力
九、結論與展望
TGV通孔玻璃作為先進封裝和集成技術的關鍵材料與工藝,將在2026-2030年迎來重要發展窗口期。隨著中國半導體產業發展和國產替代進程加速,TGV技術將迎來前所未有的發展機遇。
預計到2030年,中國TGV行業將實現以下突破:
高端玻璃基板國產化率顯著提升,部分產品達到國際先進水平
TGV核心工藝設備實現部分國產替代,關鍵設備實現自主研發
產業鏈協同效應顯現,形成完整的TGV產業集群
在MEMS傳感器、光通信等優勢應用領域,中國TGV技術達到全球領先水平
然而,行業發展也面臨諸多挑戰,需要政府、企業、科研院所等多方協同努力:
政府層面:完善產業政策,加大基礎研究投入,優化創新生態
企業層面:堅持長期主義,加強核心技術攻關,構建差異化競爭優勢
科研層面:加強基礎研究與應用研究結合,加速成果轉化
人才層面:完善人才培養與激勵機制,吸引全球高端人才
中研普華產業研究院《2026-2030年中國TGV通孔玻璃行業深度調研及發展前景預測報告》結論分析:總體而言,2026-2030年是中國TGV通孔玻璃行業從跟跑向并跑、部分領域領跑轉變的關鍵五年。在機遇與挑戰并存的背景下,具備核心技術、產業鏈協同和持續創新能力的企業將脫穎而出,成為行業的領軍者。
免責聲明
本報告基于公開資料整理分析,旨在提供行業參考信息,不構成任何投資建議或決策依據。報告中所有內容、數據和觀點均為專業分析和合理推斷,但不保證其絕對準確性和完整性。
市場環境瞬息萬變,實際發展可能與預測存在差異。投資者和企業決策者應結合自身情況,獨立判斷并審慎決策。報告作者及發布機構不對因使用本報告而產生的任何直接或間接損失承擔責任。






















研究院服務號
中研網訂閱號