李波
SK海力士在HBM(High Bandwidth Memory，高寬帶內存)領域的成功確實引人注目。根據IT之家的報道，SK海力士今年的HBM產能已經售罄，明年的訂單也基本售罄，這顯示了市場對該公司HBM產品的強烈需求。同時，SK海力士預計在今年5月提供世界最高性能的12層堆疊HBM3E產品的樣品，并準備在第三季度開始量產，這進一步鞏固了其在HBM市場的領先地位。
全球對于高性能運算和汽車應用的強勁需求，以及內存市場的復蘇，正在推動全球用于前端設施的300mm晶圓廠設備支出的增長。根據SEMI的報告，預計這一支出在2025年將首次突破1000億美元，到2027年將達到1370億美元的歷史新高。這種增長趨勢與HBM和DDR5等內存技術的需求提升密切相關，因為人工智能工作負載需要更強的帶寬能力來促進設備和處理單元之間更快的數據交換。
在產業鏈方面，HBM的發展可能會帶動半導體前道制造設備的需求，但影響相對有限。而后道的封測設備則存在量價齊升的邏輯。此外，如果未來混合鍵合技術得以廣泛應用，混合鍵合設備市場規模將會有明顯擴容。
總的來說，SK海力士在HBM市場的成功，以及全球對于高性能內存技術的需求增長，都預示著存儲行業正迎來全面復蘇。考慮到當前下游需求復蘇的節奏以及存儲原廠的盈利需求，預計2024年主流存儲產品價格有望延續上漲態勢。這種趨勢對于存儲產業鏈的企業來說，無疑是一個積極的信號，有望帶動相關公司的業績加速修復。
根據中研普華研究院《2023-2028年中國存儲設備行業發展分析與投資前景預測報告》顯示：
國家互聯網信息辦公室官微“網信中國”發布消息，美光公司在華銷售的產品未通過網絡安全審查。按照《網絡安全法》等法律法規，我國關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。
長江存儲等品牌產品能夠替代絕大部分美光公司產品，而如今很多客戶都在積極開發國產替代方案，預計今后國產芯片占比將大幅增加。
日前，存儲芯片海外廠商三星、SK海力士等傳出漲價消息，預計在下一季拉動DRAM(存儲芯片主要品類之一)價格上漲，目標漲幅為7%至8%。
內存產業具有強周期屬性，市場波動性強，對企業的抗風險能力提出挑戰。Chey Tae-won指出，芯片行業的漲跌周期較短，波動幅度較大，這為企業做出持續性的決策帶來了困難。他建議韓國企業將視野拓展到中東、南美、非洲等市場，并加強在中國這一韓國最大出口市場的業務布局。
自2022年第二季度以來，全球第二大DRAM廠商SK海力士(SK集團旗下半導體公司)營收已經連續四個季度下滑，但海力士對于存儲市場的供需改善持樂觀預期。
在第一季度財報電話會上，SK海力士首席財務官Kim Woo-Hyun表示，2023年第一季度客戶庫存水平普遍下降，加上內存供應商的減產措施全面生效，預計內存整體庫存從第二季度開始改善。
隨著大模型和生成式人工智能的技術開發和商業化競爭加劇，市場對128GB及更高密度DDR5模塊的需求迅速增長，預計2023年DRAM需求有望實現中高個位數增長，NAND有望實現中高兩位數增長。
此前，全球最大DRAM供應商三星電子于7月7日發布2023年第二季度業績預告，預計營收為60萬億韓元(約合474.27億美元)，營業利潤為6000億韓元(約合4.74億美元)，較上一季度分別下滑5.88%和6.25%，環比跌幅較之前四個季度有所收斂。韓國投資證券分析師Chae Min-sook表示，內存庫存將在第二季度末開始下降。
在服務器需求的推動下，DDR5的市場份額預計從第三季度起逐步提升，DRAM平均銷售價格將加速回暖。由于三星在市場低迷時期也持續投資DRAM業務，2024年三星DRAM市場份額有望自2016年以來首次超過45%。
而全球第三大DRAM廠商美光已經在業績層面看到了觸底回暖的跡象。在6月28日公布的第三財季(截至2023年6月1日)財報中，美光營收37.5億美元，較上一季度環比提升1.62%。
對于下一財季，美光預計營收為39億美元，上下浮動2億美元。美光首席執行官Sanjay Mehrotra表示，存儲行業已經走過了營收低谷，隨著供需逐漸恢復平衡，預計公司利潤率將有所改善。
中國存儲器市場近年來持續擴大。隨著數字化轉型、云計算、人工智能、物聯網和5G技術的推進，對存儲器的需求持續增加。大數據、高清視頻、虛擬化和邊緣計算等應用的興起，也推動了存儲器市場的增長。中國的存儲器制造商逐漸嶄露頭角。一些本土企業積極投入存儲器研發和制造領域，努力實現技術自主創新。這種趨勢有助于降低國內市場的對外依賴，提升本土產業競爭力。
目前我國已成為全球最大的消費類電子市場，其龐大的消費群體及旺盛的消費需求，吸引全球集成電路產業向中國市場轉移，提升并豐富了我國集成電路產業鏈。同時，產業政策的支持吸引一大批高端人才回國發展，人才聚集使得國內企業逐步積累了自主知識產權和核心技術，為半導體存儲器的國產替代提供了產業基礎，推動自給率提升，為行業帶來新的發展機遇。
國內半導體存儲器行業相較于國外起步較晚，存儲顆粒廠、存儲控制芯片公司、存儲模組廠處在快速成長期，與國際較為成熟的半導體存儲器生態相比，國內半導體存儲器行業在企業數量、個體競爭力、產業鏈協同度及生態完善性等方面均有所不足，基礎較為薄弱，關鍵技術創新能力較弱，以至于部分高端市場目前仍由國際領先企業主導，特別是存儲顆粒、存儲控制芯片主要市場份額及前沿技術仍掌握在三星電子、美光科技、SK海力士等國際巨頭手中。
目前中國存儲器市場國產化率極低，但是縱觀國內整個存儲產業鏈，存儲器國產化具備一定的產業基礎。在設計端，兆易創新從事NOR Flash、長鑫和西安華芯從事DRAM、長江存儲從事NAND Flash;在制造端，武漢新芯和中芯國際具備一定的制造能力，同時紫光國芯也開始布局該領域;在封測端，長電科技、華天科技和深科技均有一定的封測能力。
《2023-2028年中國存儲設備行業發展分析與投資前景預測報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業的供需狀況、發展現狀、行業發展變化等進行了分析，重點分析了行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、行業的發展建議、行業競爭力，以及行業的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業的整體發展動態，對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。
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