功率半導體器件是半導體器件的重要組成部分,是電力電子應用裝備的基礎和核心器件,廣泛應用于工業控制、新能源發電和電能質量管理、汽車電子和汽車充電樁等領域,尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應用領域起著無法替代的關鍵作用。
功率半導體器件作為不可替代的基礎性產品,廣泛應用于工業控制、新能源發電和電能質量管理、汽車電子和汽車充電樁等領域,尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應用領域起著無法替代的關鍵作用,其主要目標是提高能量轉換率、減少功率損耗、長時間的無故障工作。
2024年半導體功率器件產業現狀、競爭格局及未來發展趨勢分析
功率半導體器件是國民經濟中各行業發展的基礎元器件,其技術進步和應用領域的拓寬既能夠促進工業的產業結構升級,也為居民生活帶來更多便利和舒適。我國經濟總水平穩步上升,產業結構調整有序開展,居民對生活質量的要求也越來越高,為行業創造了巨大的盈利空間。行業內優秀企業依托自主創新能力提高產品附加值,在國民經濟持續發展這一穩固的基礎上不斷提升盈利水平。
從功率半導體器件的產業鏈來看,行業產業鏈上游主要是原材料及設備供應環節,包括晶圓、光刻機、引線框架、寬禁帶材料及其他輔助材料的供應。中游主要是芯片制造、設計、封裝等生產制造環節,產品包括功率IC、分立器件和模塊,其中IGBT和MOSFET在功率分立器件中價值量最大。下游主要為應用市場,功率半導體應用前景廣闊,幾乎涵蓋了所有電子產業鏈。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據性能不同,廣泛應用于汽車、充電樁、光伏發電、風力發電、消費電子、軌道交通、工業電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領域。
從行業競爭格局來看,由于國內企業產業化起步較晚,相關專業技術人才缺乏,設計及工藝基礎薄弱,主要生產測試設備及核心原材料主要依靠進口,國內企業自主生產的產品系列化程度、規模與國外先進企業存在較大差距。但近年來,少數國內企業掌握了IGBT芯片和FRED芯片在內的功率半導體芯片產業化的設計、制造技術并已實現批量生產,功率半導體芯片和模塊產業化生產打破了國外廠商在我國市場上的壟斷地位,迫使國外廠商相應產品不斷降價,為國內功率半導體器件下游應用企業參與國內及國際市場競爭創造了有利條件。
據中研普華產業院研究報告《2024-2029年半導體功率器件產業現狀及未來發展趨勢分析報告》分析
從整體市場份額來看,目前國內功率半導體器件市場的主要競爭者仍主要為國外企業,如英飛凌、富士電機、三菱電機、賽米控、安森美等,占據了國內絕大部的市場份額,國內企業主要包括斯達半導、士蘭微、揚杰科技、華微電子、臺基股份等。
功率半導體市場結構占比情況
目前功率半導體市場中占比最多的是功率IC,以54.3%的占比成為功率半導體第一大細分市場,功率IC包括的電源管理芯片、驅動芯片、AC/DC轉換器等;MOSFET、功率二極管、IGBT占比分別為16.4%、14.8%、12.4%。
功率半導體市場規模持續增長,預計至2024年將達到522億美元。且中國作為全球最大的功率半導體消費國,貢獻了約40%的功率半導體市場,到2024年國內IGBT市場規模將達到35億美元。
功率半導體器件行業是我國重點鼓勵和支持的產業,特別是中美貿易摩擦發生以來,關鍵元器件領域的自主可控顯得愈發重要。因此國家近年來制訂了一系列政策鼓勵、支持和促進國內功率半導體行業的發展。其中,《“十四五”規劃》提出,集中優勢資源攻關關鍵元器件零部件等領域關鍵核心技術。未來在政策的護航之下,功率半導體行業有望駛入發展快速道。
行業政策
近年來,為了推動行業的發展,國家有關部門陸續出臺一系列相關政策,支持、鼓勵行業的發展,而受益于國家和地方政府的鼓勵政策,國內電動汽車與充電樁、光伏與儲能等領域需求增長,功率半導體競爭格局有望被重塑,國內功率半導體的國產化進程有望加速。
在市場規模方面,隨著電動汽車、充電樁、光伏與儲能等領域的需求增長,功率半導體市場正在不斷擴大。據預測,中國功率半導體市場規模在未來幾年內將持續增長。此外,功率半導體市場中占比最多的是功率IC,包括電源管理芯片、驅動芯片、AC/DC轉換器等。
半導體功率器件行業未來發展趨勢
市場需求增長:隨著新能源汽車、可再生能源、智能電網等行業的快速發展,功率半導體器件的市場需求將持續增長。特別是在新能源汽車領域,隨著政策推動和消費者認知的提高,新能源汽車的滲透率不斷提高,對功率半導體器件的需求將持續增加。此外,智能電網、風電、光伏等可再生能源領域也對功率半導體器件產生了大量的需求。
國產化加速:隨著國家有關部門出臺的一系列支持政策,國內半導體功率器件的國產化進程正在加速。國內企業在技術研發、生產制造、市場營銷等方面不斷提升自身實力,逐步縮小與國際先進水平的差距。這將有助于提升國內半導體功率器件產業的競爭力,滿足國內市場需求。
未來隨著新材料、新工藝和新技術的不斷涌現,半導體功率器件的性能將得到進一步提升。例如,新型寬帶隙半導體材料(如SiC、GaN等)的應用將使得功率半導體器件具有更高的電場強度、高溫穩定性、高導電性和高抗輻射性,從而滿足高性能、高可靠性的需求。此外,多電平技術和新型器件結構、工藝的應用也將推動功率半導體器件的效率和性能提升。
欲知更多關于半導體功率器件行業的市場數據及未來投資前景規劃,可以點擊查看中研普華產業院研究報告《2024-2029年半導體功率器件產業現狀及未來發展趨勢分析報告》。