IGBT行業發展現狀：需求大幅增加

一、IGBT行業基本概述

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，集合了MOSFET開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小和BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。根據封裝形式的不同，可以分為IGBT單管和IGBT模塊，由一個IGBT芯片和一個FRD續流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管，由多個IGBT芯片和多個FRD續流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。

功率半導體主要用于電力設備的電能變換和電路控制，是進行電能處理的核心器件，弱電控制與強電運行間的橋梁，細分產品主要有MOSFET、BJT、IGBT等，而IGBT是目前發展最快的功率半導體器件之一。IGBT也稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。一般MOSFET器件或模組可承受電壓范圍為20-800V，而IGBT可承受1000V以上的高電壓，因而是電子領域較為理想的開關器件。

二、IGBT行業產業鏈

IGBT產業鏈的上游原材料主要為硅晶圓、光刻板、引線框架、新型寬禁帶材料以及其他輔助材料等；中游包括產品的設計、研發生產和封裝等工序，產品大致可以分為功率分立器件、功率IC和功率模組三大類，目前專業從事IGBT產品研發設計和銷售的企業主要有英飛凌、三菱、富士電機、安森美、斯達半導、士蘭微、時代電氣等等；產業鏈的下游應用市場有消費電子、家用電器、軌道交通、工業控制、網絡通信、軍工航天以及新能源產業鏈。

三、IGBT行業發展現狀

IGBT是目前發展最快的功率半導體器件之一。據YOLE數據顯示，2022年全球IGBT的市場規模約為68億美元，受益于新能源汽車、新能源、工業控制等領域的需求大幅增加，預計2026年全球IGBT市場規模將達到84億美元。中國是全球最大的IGBT市場，約占全球IGBT市場規模的40%，預計到2025年中國IGBT市場規模將達到522億元。

圖表：2020-2026年全球IGBT行業市場規模及預測

近年來，中國IGBT行業受到各級政府的高度重視和國家產業政策的重點支持。國家陸續出臺了多項政策，鼓勵IGBT行業發展與創新，《關于鞏固回升向好趨勢加力振作工業經濟的通知》《關于加快培育發展制造業優質企業的指導意見》《基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023年）》等產業政策為IGBT行業的發展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業提供了良好的生產經營環境。

圖表：2017-2022年中國IGBT產量情況

四、IGBT行業下游應用情況

IGBT下游應用領域中，新能源汽車、工業控制是最主要的應用領域。新能源汽車市場占比最大達31%，工控領域是IGBT需求的重要支撐，市場占比20%，新能源發電占比11%。

新能源汽車是我國IGBT最大的應用領域，其主要用于其電控設備的制造。隨著近年來我國新能源汽車規模的快速增長，我國車用IGBT市場規模也迅速增長，成為IGBT規模增長的主要動力之一。

五、IGBT行業發展趨勢

受益于新能源行業的快速發展和技術創新的推動，IGBT行業的市場規模將持續增長。預計在未來幾年內，全球IGBT市場規模將繼續保持高速增長態勢。在國家政策的支持下，國內IGBT廠商將加速技術突破和產能布局，逐步實現國產替代。未來，國內廠商將占據更大的市場份額，成為IGBT行業的重要力量。

新能源汽車、風電、光伏等新能源領域將成為IGBT行業的主要增長點。隨著這些領域的快速發展，IGBT的市場需求將持續增長，為行業帶來廣闊的市場空間。隨著國產廠商的崛起和新能源領域的快速發展，IGBT行業的競爭格局將發生變化。國內廠商將與國際廠商展開激烈競爭，同時新能源領域的快速發展也將為行業帶來新的機遇和挑戰。總之，IGBT行業市場未來發展趨勢及前景十分廣闊。在技術創新、國產替代、新能源領域發展等多重因素的推動下，IGBT行業將迎來更加廣闊的發展空間和機遇。

《2024-2029年IGBT產業現狀及未來發展趨勢分析報告》由中研普華產業研究院撰寫，本報告對該行業的供需狀況、發展現狀、行業發展變化等進行了分析，重點分析了行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、行業的發展建議、行業競爭力，以及行業的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業的整體發展動態，對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。