IGBT產業發展現狀及市場規模分析2024

近年來，IGBT行業市場規模持續擴大，并呈現出穩健的增長態勢。這主要得益于全球能源結構的轉型以及電動汽車、智能電網、工業控制等領域的快速發展，對高效能和高可靠性功率轉換設備的需求不斷增長。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，集合了MOSFET開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小和BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。根據封裝形式的不同，可以分為IGBT單管和IGBT模塊，由一個IGBT芯片和一個FRD續流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管，由多個IGBT芯片和多個FRD續流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見;IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

IGBT產業發展現狀及市場規模分析

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進步系統效率，現已開發成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱門。

根據中研普華產業研究院發布的《2024-2029年IGBT產業現狀及未來發展趨勢分析報告》顯示：

根據數據顯示，2019年至2021年，我國IGBT行業的產量分別為1550萬只、2020萬只和2580萬只，預計至2023年，我國IGBT的產量將增長至3624萬只。此外，據《國內IGBT模塊市場發展趨勢報告》預測，到2029年，全球IGBT模塊市場規模將會達到765.36億元，中國IGBT模塊市場規模也將持續擴大。

IGBT在新能源汽車、風能、太陽能、工業控制等領域都有廣泛應用。特別是在新能源汽車領域，隨著新能源市場的持續爆發，新能源應用有望成為IGBT需求增長最大的下游驅動力。根據中金企信統計數據，2020年我國IGBT在新能源汽車的應用占市場價值的28%，僅次于工業控制領域。預計2025年IGBT在新能源汽車應用市場占比將超過工業控制應用，成為我國IGBT第一大應用市場。

目前，IGBT技術正在向更高效率、更低損耗、更高可靠性等方向發展。新材料、新工藝的應用為IGBT的技術創新提供了更多可能性。此外，IGBT封裝技術的進步也提高了產品的散熱性和可靠性，滿足了不同應用場景對性能的要求。

IGBT產業未來發展趨勢預測

受益于新能源行業的快速發展和技術創新的推動，IGBT行業的市場規模將持續增長。預計在未來幾年內，全球IGBT市場規模將繼續保持高速增長態勢。在國家政策的支持下，國內IGBT廠商將加速技術突破和產能布局，逐步實現國產替代。未來，國內廠商將占據更大的市場份額，成為IGBT行業的重要力量。

新能源汽車、風電、光伏等新能源領域將成為IGBT行業的主要增長點。隨著這些領域的快速發展，IGBT的市場需求將持續增長，為行業帶來廣闊的市場空間。隨著國產廠商的崛起和新能源領域的快速發展，IGBT行業的競爭格局將發生變化。國內廠商將與國際廠商展開激烈競爭，同時新能源領域的快速發展也將為行業帶來新的機遇和挑戰。總之，IGBT行業市場未來發展趨勢及前景十分廣闊。在技術創新、國產替代、新能源領域發展等多重因素的推動下，IGBT行業將迎來更加廣闊的發展空間和機遇。

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