中國存儲芯片行業發展概況及發展歷程分析

馮少杰 2024年5月6日來源：中研網 965 60 簡體

存儲芯片行業競爭形勢嚴峻，如何合理布局才能立于不敗？

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一、中國存儲芯片行業發展概況

據中研普華產業研究院發布的《2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》分析，受中美貿易戰等原因影響，我國正在加大力度發展半導體行業，國產存儲芯片替代進程正在加速，這將提升存儲芯片產品的本土自給率，我國將會逐漸減少對存儲芯片的進口，國產存儲芯片銷量將日益增長。除此之外，當前我國疫情率先恢復，國內存儲芯片行業的經濟政策環境良好，未來，隨著我國政府政策引導和產業資金扶持，以及本土存儲芯片企業研發動力不斷增強，我國存儲芯片出口市場或將擴大，這也將進一步促進我國存儲芯片市場規模的擴大。

國內DRAM產業的起步，可以追溯到1990年代。當時，日本NEC在中國大陸成立了兩家合資公司，從事DRAM的生產。

第一家，是1991年NEC和首鋼合資成立的首鋼NEC。

首鋼NEC從1995年開始，采用6英寸1.2微米工藝，生產4M DRAM(后來升級到16M)。后來，1997年DRAM全球大跌價，首鋼NEC遭受重創，從此一蹶不振。后來，首鋼NEC淪為NEC在海外的一個代工基地，退出了DRAM產業。

第二家，是1997年NEC和華虹集團合資成立的華虹NEC。

華虹NEC從1999年9月開始，采用8英寸0.35微米工藝技術，生產當時主流的64M DRAM內存芯片。2001年后，隨著NEC退出DRAM市場，華虹也退出了DRAM產業。

2004年，中國又開始了DRAM產業的第二次嘗試。這次有所行動的，是中芯國際。當時，中芯國際在北京投資建設了中國大陸第一座12英寸晶圓廠(Fab4)，2006年大規模量產80nm工藝，為奇夢達、爾必達代工生產DRAM。好景不長，2008年，由于中芯國際業務調整，退出了DRAM業務。第二次嘗試，宣告失敗。

2015年，中國DRAM采購金額約為120億美元，占全球DRAM供貨量的21.6%。嚴重依賴進口的現狀，促使國內開始了針對DRAM業務的第三次嘗試。

這次嘗試，最具代表性的，就是武漢、合肥和廈門三大存儲器基地。這些基地借助國家和地方層面的產業政策，投入了大量資本(超過2500億人民幣)，發展半導體存儲技術，培養人才。

目前，國內在DRAM領域比較有代表性的企業是合肥長鑫、福建晉華、紫光國芯、兆易創新、北京矽成、東芯半導體、南亞科技(中國臺灣)、華邦電子(中國臺灣)、力積電(中國臺灣)等。

合肥長鑫，是國內DRAM存儲芯片的龍頭企業。他們的DRAM技術主要來自于已破產的德系DRAM廠商奇夢達，以及日系廠商爾必達。

2019年9月20日，合肥長鑫宣布中國大陸第一座12英寸DRAM工廠投產，并發布了首個19nm工藝制造的8G DDR4，屬于歷史性突破。

根據機構預計，合肥長鑫的產能2022年到2023年將有望達到12.5萬片。

2016年5月，福建晉華與聯電合作，進行利基型DRAM的生產。2017年12月，鎂光指控福建晉華和聯電盜用了自己的內存芯片技術。2018年1月，福建晉華也就專利侵犯向鎂光提起訴訟。2018年10月，福建晉華被列入出口管制實體清單。2018年11月，美國司法部又以竊取鎂光商業機密為由起訴聯電和福建晉華。一番折騰之后，聯電扛不住了。2019年1月底，聯電宣布撤出福建晉華DRAM項目。2021年11月，聯電和鎂光達成和解。目前，福建晉華方面審查還沒有完整的最終結果。