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中國存儲芯片行業企業布局及競爭情況分析

存儲芯片企業當前如何做出正確的投資規劃和戰略選擇?

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中國存儲芯片行業競爭格局分析

一、中國存儲芯片行業競爭現狀

據中研普華產業研究院發布的《2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》顯示,雖然目前我國存儲芯片行業全球市場份額較低,但其發展迅速,目前技術水平已達到行業主流水準。2016年以前,我國還不具有存儲芯片研發、生產能力,芯片需求完全依賴進口。2016-2018年,武漢新芯、合肥長鑫、長江存儲相繼成立。

2018-2020年,長江存儲攻克64層3DNAND技術并開始量產,打破了NAND Flash芯片的國際壟斷。2021年,兆易創新推出首款自有品牌DDR4產品,實現了從設計、流片,到封測、驗證的全國產化。

二、中國存儲芯片企業布局對比

存儲芯片有多種細分市場,以NAND Flash和DRAM存儲芯片為主。長江存儲作為我國NAND Flash龍頭企業,完成128層NAND Flash存儲芯片技術突破。Trend force數據顯示,三星、海力士、美光都計劃在2020年推出128層的(TLC/QLC),而在2020年后,QLC將逐步發展并成為主流。

在2018年后,中國的長江儲存技術出現在世界視野中,中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商,目標第三季進入投片、年底前量產,擬用于UFS、SSD等各類終端產品,并同時出貨給模組廠。

三、中國存儲芯片企業競爭格局

中國存儲芯片廠商發展力強,成長空間較大。從中國存儲芯片行業競爭格局來看,市場主要由國外存儲芯片巨頭領導,細分領域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等),但近年來國內廠商奮力追趕,已在部分領域實現突破,逐步縮小與國外原廠的差距,其中,兆易創新位列NOR Flash市場前三,聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三,長江存儲128層3DNAND存儲芯片,直接跳過96層,加速趕超國外廠商先進技術。

值得注意的是,兆易創新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT),意味著兆易創新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發能力,扮演中國半導體發展的重要角色。總而言之,中國存儲芯片行業發展形勢較為樂觀,但還有一段漫長的路要走。

更多存儲芯片行業深度分析,請點擊查看中研普華產業研究院發布的《2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》。

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2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告

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