T/R組件，全稱發射/接收組件(Transmit/Receive Module)，又稱T/R模塊，是有源相控陣雷達天線的關鍵部件。T/R組件的性能在很大程度上決定了有源相控陣雷達的性能，且T/R組件的生產成本決定了有源相控陣雷達的推廣應用前景-。
第一章 產業概述：T/R組件的定義、價值與產業鏈
1.1 T/R組件的技術原理
中研普華產業研究院《2026-2030年中國T/R組件產業深度調研及發展戰略規劃研究報告》分析認為，從技術構成來看，T/R組件集成了發射信號放大、接收信號低噪聲放大、移相、衰減及波束控制開關等多種功能，能夠獨立完成對電磁波的輻射與接收-。
具體而言，每個T/R組件包含發射功率放大器、低噪聲放大器、移相器、衰減器以及天線波束控制電路等核心單元，用于實現對發射信號的放大、對接收信號的放大以及對信號幅度、相位的精確控制。
一部有源相控陣雷達通常包含成千上萬個T/R組件，這些組件在數字控制下協同工作，實現對雷達波束方向、形狀的瞬時電控捷變。
1.2 有源相控陣雷達的原理與T/R組件的關系
有源相控陣雷達與傳統機械掃描雷達的本質區別在于：機械雷達依靠天線物理轉動來改變波束方向，而有源相控陣雷達通過控制陣列天線中各個輻射單元的饋電相位來改變方向圖形狀，實現波束掃描。
有源相控陣雷達天線陣面的每個天線單元中均含有源電路，收發合一的T/R組件包括發射支路、接收支路及射頻轉換開關及移相器-。
T/R組件是有源相控陣雷達的“心臟”。每一套T/R組件既有發射高功率放大器用于發射信號，又有低噪聲放大器用于接收回波信號，通過精確控制每個天線單元的發射和接收信號，實現波束掃描、波束賦形等功能。
可以毫不夸張地說，T/R組件的性能決定了有源相控陣雷達的天線參數和整機性能，其配置數量直接決定了雷達系統的探測效能-。
1.3 產業鏈全景分析
T/R組件產業鏈呈現“金字塔”式的分層結構，每個環節都具有較高的技術壁壘和資本門檻。
上游：核心芯片與材料。 這是產業鏈中技術壁壘最高、毛利率最高的環節，占載荷價值30%至50%以上-。上游核心材料包括GaAs/GaN晶圓、陶瓷封裝基板、特種射頻元器件等，目前供應主導區為美國、日本及中國臺灣-。
中國正在加速國產替代步伐，中電科13所和55所是國內僅有的兩家能夠大規模批量提供軍用微波毫米波芯片的企業-。鋮昌科技是國內少數能夠提供T/R芯片完整解決方案的企業之一，產品覆蓋硅基、砷化鎵及第三代半導體氮化鎵工藝的系列化產品，頻段覆蓋1GHz至300GHz-。
中游：T/R組件設計與制造。 該環節主要從事T/R組件的設計、集成與量產制造，占載荷價值約30%至50%-。中游由專業的組件設計與制造企業主導，包括國博電子、各軍工院所下屬企業等-。
其中，國博電子是國內有源相控陣T/R組件的龍頭企業，核心團隊技術積累深厚，背景多為中電科55所工程師-。
下游：系統集成與應用。 下游覆蓋雷達整機廠、通信設備制造商以及終端應用領域，包括軍事雷達、電子對抗、衛星通信、5G毫米波通信、汽車雷達等-。
第二章 全球與中國T/R組件市場現狀與競爭格局
2.1 全球市場規模與發展態勢
據恒州誠思調研統計，2025年全球有源相控陣T/R組件市場規模約131.0億元人民幣，預計未來將持續保持平穩增長態勢，到2032年市場規模將接近420.1億元，未來六年年復合增長率約為18.2%-。
此外，據QYResearch最新市場數據統計，2032年全球有源相控陣T/R組件規模將達到約6,170百萬美元，年復合增長率為19.4%(2026-2032)-。
從軍用市場角度來看，全球軍用T/R模塊市場增長受到國防預算上升、對先進雷達和通信系統的需求增加以及向電子戰能力轉變的推動-。
2.2 中國市場競爭格局
中國T/R組件市場呈現顯著的“雙軌制”競爭格局，即國家軍工院所以核心芯片環節為主導，民營企業在中下游環節逐步崛起并拓展高價值環節。
國家隊主導核心芯片供應。 中電科13所和55所是國內微波毫米波T/R組件芯片的主要供應商，也是國內僅有的兩家能夠大規模批量提供軍用微波毫米波芯片的企業-。在國家重大軍工項目中，這兩大院所處于不可替代的戰略地位。
民營企業加速崛起。 國博電子是國內少數具備完整T/R組件和射頻集成電路產研能力的供應商，從盈利能力看領先于同行，在行業中具備較強競爭力-。鋮昌科技則是國內稀缺的主營相控陣T/R芯片公司，同行業競爭對手僅有中電科55所和13所-。
中國有源相控陣T/R組件行業正在經歷從進口依賴到自主可控的關鍵轉型。中國目前正在逐步擴大產能并加速國產替代步伐-。
3.1 國防現代化建設：核心驅動力
2026年，中國全國一般公共預算安排國防支出1.94萬億元，比上年執行數增長6.9%-。國防支出的核心方向之一是“加緊先進武器裝備發展和國防科技創新”-。
射頻與微波器件T/R組件被列為十大軍工集團2026年共性需求之一，用于支撐有源相控陣雷達、電子對抗、通信數據鏈升級-。
值得注意的是，“十五五”軍品列裝周期的啟動將帶動軍用T/R組件業務重回高點-。有源相控陣雷達正從“高精尖裝備”向“通用化列裝”方向邁進，T/R組件作為其核心部件，將深度受益于本輪國防現代化建設的采購放量。
3.2 衛星互聯網：百億級新興市場
商業航天是T/R組件產業最大的增量市場之一。在低軌通信衛星中，相控陣天線作為星地高速通信的核心載荷，占整星成本約50%，而T/R組件又占載荷價值的37.5%左右，單星價值量接近千萬元-。
另有數據顯示，星載相控陣天線與T/R組件占整星制造成本的40%至50%以上，是決定低軌通信衛星能否實現大通量信號傳輸、多信道并發的核心-。
2026年中國可復用火箭有望實現突破，顯著降低發射成本并提升衛星發射頻次，低軌衛星組網進入加速期-。
以GW星座與千帆星座為首的中國衛星互聯網星座開始大規模組網，疊加L3+級別智駕逐漸開放，中國相控陣T/R芯片行業市場規模將由2025年的24.8億元躍升至2030年的44.9億元，年均復合增長率為12.6%-。其中，鋮昌科技在星載相控陣T/R芯片領域占據顯著優勢，國內市場占有率超過70%，已進入國內主流衛星廠商供應鏈-。
3.3 軍民融合發展：從單一賽道到多元應用
當前T/R組件行業呈現“軍用筑基、民用拓展”的典型發展模式-。軍用領域提供了核心技術積累和穩定訂單，民用領域則打開了更廣闊的市場空間。2020年至2025年，行業市場規模由約8.41億元增至24.80億元，預計2026年至2030年將進一步增至44.82億元-。
在民用滲透方面，T/R組件正加速向智能駕駛、5G毫米波通信、低空監測、氣象雷達、智慧交通等領域拓展。相控陣T/R芯片已批量應用于星載、地面、機載等相控陣雷達及衛星通信領域，亦可應用至5G毫米波通信等場景-。
第四章 技術演進趨勢：GaN、集成化與微型化
4.1 第三代半導體GaN成為主導技術方向
氮化鎵T/R組件能實現更大的功率，是未來的發展趨勢。伴隨著第一代硅、第二代砷化鎵器件的成熟應用，高密度集成的多芯片組件封裝模塊已成為現階段有源相控陣的主流技術方案，而新一代武器裝備對核心器件的高功率需求正在加速推動從GaAs向GaN的遷移-。
目前GaN-on-SiC技術和GaN-on-Si技術并行發展。150納米GaN-on-SiC技術的T/R前端芯片可覆蓋6-18GHz頻段，集成SPDT開關、低噪聲放大器和功率放大器網絡于單一緊湊芯片中-。GaN-on-Si HEMT技術則以其低成本和大規模生產優勢，在移動通信應用中展現出強勁潛力，能夠在毫米波頻段實現同時超過60%的高效率和低于1.2dB的低噪聲-。
4.2 集成化與多功能化
針對相控陣雷達向多功能射頻感知微系統方向發展的需求，要求設備物理層面向高集成、微小型、共形方向發展，功能層面向大帶寬、多功能、多極化、多模式工作方向發展-。未來T/R組件的發展方向包括向更高頻段(如毫米波、太赫茲)、更高集成度(SiP系統級封裝)、更智能化(數字波束賦形與人工智能控制)演進。
4.3 國產替代加速推進
中國在GaN、GaAs及硅基工藝領域的芯片研發能力正在快速提升，產品覆蓋1GHz至300GHz頻段，可滿足高集成度、低功耗的復雜應用需求-。中國正在逐步擴大產能并加速國產替代步伐，上游晶圓及其他半導體材料的國產化率持續提升-。
第五章 產業發展戰略與投資建議
5.1 行業進入壁壘與風險提示
T/R組件行業具有極高的進入壁壘：技術壁壘方面，T/R組件的GaN芯片、功率放大器的高頻段技術等均需長期研發投入，短期內難以突破-;供應鏈壁壘方面，上游供應鏈高度集中于尖端半導體與特種材料領域，晶圓供應、陶瓷封裝基板等核心材料的國產化程度仍有限;資質壁壘方面，軍用T/R組件市場涉及嚴格的軍工保密資質和產品認證體系。
主要風險包括：整機單位T/R組件采購模式由對外采購變更為內部配套的風險，部分整機廠商自建T/R組件生產研制平臺;原材料價格及交付波動的風險，公司生產依賴于多種晶圓、芯片、電子元件等，原材料成本是營業成本的主要構成部分-;軍工產品交付受下游客戶采購計劃影響較大，存在季度業績波動風險-。
5.2 投資者核心關注維度
對于投資者而言，建議重點關注以下維度：一是國防預算和“十五五”采購節奏的變化，軍品列裝周期啟動將為T/R組件龍頭帶來確定性增長機會-;二是衛星互聯網星座的發射進度和商業化落地節奏，2026年將迎來發射量爆發-;三是技術迭代方向，氮化鎵技術路徑的國產化進度和集成化水平決定行業長期競爭力。
5.3 企業戰略決策建議
對于產業中的企業，建議采取以下戰略：深耕軍用市場，把握“十五五”軍品列裝周期的窗口期，持續鞏固在軍工領域的供應地位;搶占衛星互聯網先機，加速布局星載相控陣天線和T/R組件業務，迎接百億級增量市場;推進技術自主可控，加大在氮化鎵工藝、系統級封裝等核心技術的研發投入，降低對外部供應鏈的依賴;拓展民用場景融合，積極開拓智能駕駛、5G毫米波通信、低空經濟等民用場景，形成軍民融合雙輪驅動的發展格局。
5.4 新人入門指南
對于希望進入T/R組件行業的市場新人，建議先從產業鏈圖譜入手，理解上游材料、中游制造、下游應用的橫向分工邏輯;重點關注國博電子、鋮昌科技等核心企業的發展動向和財報分析;持續跟蹤國防預算、衛星互聯網發射計劃等宏觀政策信號;從技術角度理解氮化鎵與砷化鎵的性能差異及其應用場景選擇。
結語
中研普華產業研究院《2026-2030年中國T/R組件產業深度調研及發展戰略規劃研究報告》結論分析認為，2026年至2030年將是中國T/R組件產業發展的關鍵窗口期。一方面，“十五五”軍品列裝周期的啟動為產業提供了穩定的基本盤;另一方面，衛星互聯網、低空經濟、智能駕駛等新場景的爆發式增長正在打開百億級乃至千億級的增量市場空間。
在技術端，以氮化鎵為代表的第三代半導體技術正在推動產業向更高功率、更高集成度演進;在供給端，國產替代進程加速推進，民營企業正在從邊緣走向舞臺中央。
對于投資者而言，T/R組件產業兼具“軍工剛需”與“民用成長”的雙重屬性;對于企業而言，戰略選擇的關鍵在于在軍用市場夯實地基、在民用藍海搶占先機;對于新人而言，這是一個技術壁壘高、成長空間大、兼具戰略意義的優質賽道。
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