存儲設備行業市場全景調研及投資價值 供應缺口或超20%存儲器產能排擠效應有望掀漲價潮

半導體存儲器市場，特別是DRAM(動態隨機存取存儲器)和高頻寬存儲器(HBM)領域即將發生的重要變化，以及這些變化如何影響市場價格和供應鏈動態。

關鍵信息點解析

三星HBM3e通過英偉達認證：三星的高頻寬存儲器產品HBM3e獲得英偉達認證，意味著這款產品已滿足高端圖形處理和數據中心應用的高性能需求，為其商業化鋪平了道路。

產能重新分配：三星計劃將高達三成的DRAM產能轉向生產HBM3e，這將直接導致市場上用于生產DDR4或DDR5等通用DRAM的產能減少，進而加劇DRAM市場的供需緊張狀況。

DRAM市場供需失衡：由于三星的產能調整，以及全球范圍內DRAM新增產能有限，DRAM市場正面臨前所未有的供需失衡“超級周期”。特別是明年，標準型DRAM的供應缺口預計將達到23%，為近年來罕見，這將推動DRAM價格持續上漲。

價格預測上調：摩根士丹利等金融機構上調了對DRAM和NAND芯片價格的漲幅預期，顯示出對半導體存儲器市場未來價格走勢的樂觀態度。這種價格上漲趨勢預計將持續一段時間，為相關廠商帶來顯著的利潤增長。

臺廠受益：作為DRAM市場的重要參與者，南亞科、威剛、十銓等臺灣廠商將直接受益于DRAM價格的上漲。這些廠商有望通過提高產品價格和銷量來增加收入，提升市場競爭力。

行業影響

供應鏈調整：DRAM供應商將需要重新評估其產能分配策略，以應對市場需求的變化。同時，下游客戶也需要提前備貨，以應對未來可能出現的供應短缺和價格上漲。

技術創新推動：HBM3e等高性能存儲器的成功商業化將推動整個半導體存儲器行業的技術創新和發展。未來，更多高性能、低功耗的存儲器產品有望涌現，滿足不斷增長的市場需求。

市場格局變化：隨著DRAM市場供需失衡的加劇和價格上漲的持續，市場格局有望發生深刻變化。一些具有技術實力和產能優勢的廠商將占據更大的市場份額，而一些小型或技術落后的廠商則可能面臨生存壓力。

三星HBM3e通過英偉達認證并計劃大規模生產，將引發DRAM市場的一系列連鎖反應，包括產能調整、價格上漲和市場格局變化等。這些變化不僅將對半導體存儲器行業產生深遠影響，也將對整個科技產業鏈產生重要的推動作用。

根據中研普華研究院《2024-2029年中國外存儲設備行業市場全景調研及投資價值評估研究報告》顯示：

DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器)和HBM3e(High Bandwidth Memory 3E，高帶寬存儲器3E)在多個方面存在顯著差異，以下是對兩者的詳細比較：

一、定義與基本特性

DRAM

定義：DRAM是一種用于存儲數據的半導體芯片，其基本工作原理是在一個存儲單元中存儲一個比特(0或1)的信息，并通過刷新機制來保持這些信息的穩定性。DRAM廣泛應用于各種電子設備中，如個人電腦、智能手機等。

特點：DRAM需要定期刷新以保持數據穩定，且存儲容量和帶寬受到其物理結構和設計的限制。

HBM3e

定義：HBM3e是HBM(高帶寬存儲器)的擴展版本，采用了垂直互連多個DRAM芯片的設計，提供了更高的帶寬和數據處理能力。HBM3e是專為需要極高吞吐量的數據密集型應用程序設計的，如高性能計算、網絡交換及轉發設備等。

特點：HBM3e具有超高的帶寬，遠高于傳統DRAM。其通過堆疊DRAM芯片并利用硅通孔(TSV)技術連接，實現了更高的數據傳輸速度和更低的功耗。此外，HBM3e還具備高容量、良好的散熱性能和向后兼容性。

二、技術規格與性能

三、應用場景

DRAM

廣泛應用于個人電腦、智能手機、服務器等電子設備中，作為主存儲器或緩存使用。

HBM3e

專為需要極高吞吐量的數據密集型應用程序設計，如高性能計算、網絡交換及轉發設備、高端GPU等。

已成為AI訓練硬件的首選內存解決方案，因其能夠提供高內存帶寬和高能效。

四、結論

DRAM和HBM3e在定義、技術規格、性能以及應用場景等方面存在顯著差異。DRAM作為傳統存儲器，在多種電子設備中發揮著重要作用;而HBM3e則以其超高的帶寬、低功耗和高容量等特點，成為數據密集型應用程序和AI訓練硬件的理想選擇。隨著技術的不斷發展，HBM3e等高性能存儲器將在更多領域得到應用和推廣。

存儲器行業市場發展趨勢：

一、市場規模持續增長

全球市場規模：根據《2024-2029年中國存儲器產業運行態勢及投資規劃深度研究報告》的數據，全球存儲器市場規模在過去幾年間穩步增長，并預計將繼續保持增長趨勢。2024年，全球存儲器市場規模約為592億美元，顯示出強勁的市場需求。

DRAM芯片市場：DRAM芯片作為存儲器市場的重要組成部分，其市場規模也在不斷擴大。TechInsights預測，2024年全球DRAM芯片的銷售額將增長46%，達到780億美元，顯示出DRAM市場的強勁增長勢頭。

二、技術創新與進步

制程技術：存儲器技術不斷向更先進的制程邁進，以提高存儲密度和性能，降低成本和功耗。目前，三星、海力士和美光等領先廠商都已經進入了1Znm(10-14nm)制程，并計劃在未來幾年內進入更先進的制程。

新產品與標準：隨著技術的發展，新的存儲器產品和標準不斷涌現。例如，DDR5和LPDDR5等新一代DRAM標準已經開始量產，并廣泛應用于高性能計算、云計算、人工智能等領域。同時，HBM(高帶寬內存)技術也因其高帶寬、低延遲等優點而受到廣泛關注，預計將在未來幾年內實現快速增長。

三、市場需求多元化

消費電子市場：智能手機、平板電腦、智能家居設備等消費電子產品的普及，對高容量、高速度存儲器的需求不斷提升。隨著5G網絡的普及和智能手機內存容量的增加，這些設備對存儲器的需求將進一步增長。

數據中心與云計算：企業和機構越來越多地采用云計算和大數據分析，這些應用需要大規模的存儲和數據處理能力，從而拉動了存儲器市場的增長。

人工智能與物聯網：人工智能和物聯網技術的發展對存儲器提出了更高的要求，推動了存儲器技術的創新和應用。特別是在AI服務器和邊緣計算設備中，對高帶寬、低延遲存儲器的需求日益增長。

四、競爭格局與市場份額

市場集中度高：存儲器市場高度集中，主要被三星電子、SK海力士和美光三者壟斷，三大廠商市場占有率合計超過95%。這種高度集中的競爭格局在短期內難以改變。

國內廠商崛起：隨著國家政策的支持和技術的不斷進步，國內存儲器廠商如兆易創新、北京君正、東芯股份、長鑫存儲等正在逐步崛起，有望在未來打破國際廠商的市場壟斷地位。

五、未來發展趨勢預測

持續增長：隨著數字化和信息化的深入推進，以及云計算、大數據、人工智能等技術的廣泛應用，存儲器市場將繼續保持增長趨勢。

技術創新：未來存儲器技術將繼續向更先進的制程和更高性能的產品發展，以滿足不斷變化的市場需求。

多元化應用：隨著新興技術的不斷涌現和應用場景的拓展，存儲器將在更多領域發揮重要作用，推動存儲器市場的多元化發展。

存儲器行業市場發展趨勢呈現出市場規模持續增長、技術創新與進步、市場需求多元化以及競爭格局與市場份額相對穩定等特點。未來，隨著技術的不斷進步和應用場景的拓展，存儲器市場將迎來更加廣闊的發展前景。

國內半導體存儲器行業相較于國外起步較晚，存儲顆粒廠、存儲控制芯片公司、存儲模組廠處在快速成長期，與國際較為成熟的半導體存儲器生態相比，國內半導體存儲器行業在企業數量、個體競爭力、產業鏈協同度及生態完善性等方面均有所不足，基礎較為薄弱，關鍵技術創新能力較弱，以至于部分高端市場目前仍由國際領先企業主導，特別是存儲顆粒、存儲控制芯片主要市場份額及前沿技術仍掌握在三星電子、美光科技、SK海力士等國際巨頭手中。

目前中國存儲器市場國產化率極低，但是縱觀國內整個存儲產業鏈，存儲器國產化具備一定的產業基礎。在設計端，兆易創新從事NOR Flash、長鑫和西安華芯從事DRAM、長江存儲從事NAND Flash;在制造端，武漢新芯和中芯國際具備一定的制造能力，同時紫光國芯也開始布局該領域;在封測端，長電科技、華天科技和深科技均有一定的封測能力。

《2024-2029年中國外存儲設備行業市場全景調研及投資價值評估研究報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業的供需狀況、發展現狀、行業發展變化等進行了分析，重點分析了行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、行業的發展建議、行業競爭力，以及行業的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業的整體發展動態，對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。