今年一季度,ASML來自中國大陸的營收占比高達49%,而該公司以往的最大市場中國臺灣和韓國占比則保持在低位,分別只有6%和19%。截至今年一季度,中國大陸已連續三個季度成為ASML最大市場,營收占比分別為46%、39%和49%,相比之下去年一季度只有8%,二季度為24%。
國家開始重視光刻機的研發,如今中國在逐步縮小和國際光刻機巨頭的差距。目前國內光刻機市場規模較小,但是隨著國家政策的支持和技術水平的提高,中國光刻機市場具有很大的發展潛力。
從光刻機的產業鏈來看,上游主要為光刻機生產所需的零件、組件和設備等,光刻機涉及的內部零件種類眾多,且越高端的光刻機組成越復雜,如EUV內部零件多達8萬件以上,其核心組件包括光源系統、雙工作臺、物鏡系統、對準系統、曝光系統、浸沒系統、光柵系統等,其中光源、晶圓曝光臺、物鏡和對準系統的技術門檻較為顯著。因此,光刻機企業往往具備高外采率、與供應商共同研發的特點,而其下游應用主要包括芯片制造、功率器件制造、芯片封裝等。
隨著半導體市場規模不斷擴大,半導體設備市場規模也將持續擴容。盡管2022年全球經濟下滑明顯,下游需求受到顯著影響,半導體設備市場仍在增長,達到1076.4億美元的規模。在半導體設備的蓬勃發展態勢下,未來光刻機的發展空間也較為廣闊。
全球光刻機市場的主要競爭公司為ASML、Nikon和Canon,其中ASML占據絕對霸主地位。2022年該三家廠商市場份額占比分別為82.14%、10.2%和7.65%,以ASML為首形成壟斷格局。其中,超高端光刻機EUV領域中ASML獨占鰲頭,高端光刻機ArFi和ArFdry領域也主要由ASML占領,Canon主要集中在i-line光刻機領域,Nikon除EUV外均有涉及。
我們的報告《2024-2029年光刻機行業市場深度分析及發展規劃咨詢綜合研究報告》分析
2020年起,疫情導致電子產品需求增加,新能源車滲透率提升等事件的影響,全球半導體市場步入景氣周期。據ICInsights統計,2020-2022年全球半導體市場規模預計將從4926億美元增長到6548億美元。在此期間,晶圓廠積極擴產,光刻機交付周期不斷延長。為保證設備交付,各晶圓廠紛紛提前下單訂購設備,進一步推升了光刻機的銷量。
。隨著芯片制程不斷升級,所需光刻機種類發生變化;邏輯制程從5納米節點開始,必須使用EUV光刻機,光刻設備開支占比明顯提升;DRAM芯片從1A節點開始逐步采用EUV光刻機;3DNAND芯片由于多層疊堆技術的發明,仍使用較老式的光刻機,光刻設備開支占比有所下降。整體上ArFi和EUV高端光刻機占比有所提升;單臺EUV光刻機售價超過1億美元,推高了平均售價。
《國家集成電路產業發展推進綱要》,提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備,開發光刻膠、大 尺英寸硅片等關鍵材料”;《國務院關于印發“十三五”國家科技創新規劃的通知》提出“突破28納米浸沒式光刻機及核心部件”等政策規劃為光刻機產業的發展提供了良好的政策發展環境。
2022年11月15日,國家知識產權局公布了華為的一項新專利“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”(CN115343915A),這是在EUV光刻機核心技術上取得的突破性進展。另外,華中科技大學研制的OPC系統、哈爾濱工業大學研制的激光干涉系統等,也各自有所突破。同時,我國也在加快推進14納米、7納米甚至更低節點的光刻機研發工作。
在當前國際形勢下,海外對華技術制裁日益加劇,光刻機作為被重點限制的設備之一,其國產化顯得尤為迫切。國內光刻機產業的突破不僅關乎產業安全,更是國家科技自立自強的重要體現。
鑒于光刻機在半導體產業中的核心地位以及全球半導體市場的持續擴張趨勢,光刻機市場的規模長期看好。同時,考慮到光刻機開發的高難度和產業的強壟斷性,國產光刻機產業鏈具有巨大的投資潛力。在未來,隨著國內光刻機技術的不斷突破和市場份額的逐步擴大,投資者有望獲得可觀的回報。
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