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除了HBM 兩大存儲龍頭又有新動作 行業今年迎來向上拐點 芯片行業發展現狀分析報告

芯片企業當前如何做出正確的投資規劃和戰略選擇?

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由于AI需求強勁,HBM和DDR5的訂單有望增加,三星電子和SK海力士加強對高價值DRAM產品的關注,正在考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡,生產HBM、DDR5和LP-DDR5等高價值產品。

AI需求強勁,三星和SK海力士考慮增加高價值DRAM產量

由于AI需求強勁,HBM和DDR5的訂單有望增加,三星電子和SK海力士加強對高價值DRAM產品的關注,正在考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡,生產HBM、DDR5和LP-DDR5等高價值產品。

據界面新聞報道,由于AI需求強勁,HBM和DDR5的訂單有望增加,三星電子和SK海力士加強對高價值DRAM產品的關注,正在考慮增加工廠的半導體晶圓投入量,以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡,生產HBM、DDR5和LP-DDR5等高價值產品。

國元證券認為,2024年是Dram行業“三點共振”的交匯時點。三點共振指的是Dram行業經過了2年調整后,將在24年迎來大周期向上拐點,DDR5在全球Dram市場滲透率從23年的15%左右提升到50%-60%的關鍵時點,以及AI率先帶動的AIPC需求,進而推動消費類Dram規格向服務器Dram規格靠攏的關鍵時間節點。

平安證券也表示,一方面,從行業角度看,根據TrendForce預測數據,不論是DRAM還是NANDFlash,2024年的整體存儲合約均價有望呈現逐季上漲態勢,同時通過觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲廠商近期業績的環比改善變化,存儲行業有望在2024年步入上行周期。

另一方面,隨著高性能計算以及AI功能需求的快速增加,以及AIPC等AI硬件產品持續推出,為保證AI應用的流暢運行,存儲的規格和容量均需進行配套升級,高端存儲產品和技術將迎來滲透加速。

公司方面,德邦證券表示包括:存儲模組:江波龍(進軍企業級&信創市場)、佰維存儲(研發封測一體化)、朗科科技(韶關數據中心逐步落地)、德明利(NAND主控+模組)等;存儲芯片:兆易創新(NOR+DRAM龍頭)、東芯股份、普冉股份等;DDR5配套:瀾起科技、聚辰股份等。

據新聞報道,SK海力士副總裁Kim Chun-hwan日前透露,公司正在量產最高規格的HBM3,計劃在今年上半年推出HBM3E,計劃到2026年量產HBM4;預計到2025年,HBM市場規模將增長40%。

在AI芯片需求強勁的背景下,作為高算力處理器中必不可少的HBM3/3E將繼續供不應求,推動HBM量價齊升。SK海力士在23Q4運營利潤超預期的轉正。此前在23Q3電話會已表示,24年所有HBM3/3E產能已滿,并持續接到額外訂單的咨詢。

浙商證券指出,HBM突破了內存容量與帶寬瓶頸,打破了“內存墻”對算力提升的桎梏,其具備高帶寬、低功耗的特點,面對AI大模型千億、萬億的參數規模,服務器中負責計算的GPU幾乎必須搭載HBM。

目前全球HBM產能主要用于滿足Nvidia和AMD的AI芯片需求。隨著大型互聯網客戶自研AI芯片陸續推出,HBM客戶群預計將大幅擴容,HBM對全球半導體市場的影響力將進一步加大。據TrendForced預測,2024年整體HBM營收有望達89億美元,年增127%。

山西證券認為,TSV為HBM核心工藝,新技術帶來設備、材料端升級。TSV技術主要涉及深孔刻蝕、沉積、減薄拋光等關鍵工藝,多層堆疊結構提升工序步驟,帶動量檢測、鍵合等設備需求持續提升。

HBM芯片間隙采用GMC或LMC填充,帶動主要原材料low-α球硅和low-α球鋁需求增長,同時電鍍液、電子粘合劑、封裝基板、壓敏膠帶等材料需求也將增加。

公司方面,據上市公司互動平臺表示,雅克科技:公司唯一打入SK海力士、三星、長鑫、長存等國內外領先存儲芯片廠商的前驅體供應商。聯瑞新材:公司產品中Lowα微米級球形硅微粉、Lowα亞微米級球形硅微粉主要應用于存儲芯片封裝等先進封裝領域。

韓國將HBM確定為國家戰略技術

HBM即為高帶寬內存,是三星、AMD和SK海力士于2013年發起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,通過增加帶寬,擴展內存容量,讓更大的模型,更多的參數留在離核心計算更近的地方,從而減少內存和存儲解決方案帶來的延遲、降低功耗。

從技術角度看,HBM使DRAM從傳統2D轉變為立體3D,充分利用空間、縮小面積,契合半導體行業小型化、集成化的發展趨勢。

海量數據催生龐大的算力需求,而存儲技術提升是AI性能提升的關鍵。HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,打破內存帶寬及功耗瓶頸,GPU性能提升推動HBM技術不斷升級,市場需求激增。

據報道,韓國將HBM確定為國家戰略技術,并將為HBM技術供應商提供稅收優惠,如三星電子和SK海力士。這項決定屬于韓國稅法修正案執法法令草案的一部分。

相比一般研發活動,國家戰略技術可享有更高的稅收減免:中小型企業可獲得最高40%至50%減免,而大型企業可獲得30%至40%減免。

根據中研普華產業研究院發布的《2024-2029年芯片產業現狀及未來發展趨勢分析報告》顯示:

HBM主要應用于高性能計算、數據中心、圖形處理等領域,如AMD的EPYC系列服務器處理器就采用了HBM內存技術。HBM的發展和應用對于提高計算機系統的性能和能效具有重要的意義。

HBM的優勢使其得以乘AI爆發之勢而起,市場需求驟增。OpenAI在2022年11月發布ChatGPT后,AI大浪潮時代開啟,各大廠商相繼開發并推出大模型產品,大模型的訓練和部署需要大量的AI算力芯片提供支撐,同樣大量的數據集傳輸和存儲也對存力提出了更高的要求。

HBM市場目前被SK海力士、三星及美光三大DRAM原廠牢牢占據,調查顯示,2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士50%、三星約40%、美光約10%。

芯片行業發展現狀分析

作為絕大多數電子設備的核心組成部分,芯片在如今的生產生活中發揮著舉足輕重的作用。

從小處說,各種數碼、電子設備的控制是依靠芯片;高速通信、人工智能、無人駕駛涉及面部識別、語音助手等的核心的算力是由芯片完成;在5G通信中,通信網絡連接到終端應用和服務器,涉及大量的計算、存儲要基于芯片……從大處說,芯片被廣泛應用到航天、裝備、黨政辦公領域,還有交通、電力、金融、電信、能源、醫療等國家戰略行業。

因此,有人把芯片稱為科技時代的重要生產力。芯片正像是第一、二次工業革命中的蒸汽機、內燃機,其決定著一個時代生產力的強弱進入科技時代。

國家統計局2024年1月17日公布的數據顯示,2023年中國的集成電路產量為3514億塊,而2022年為3242億塊。數據統計了各種芯片,包括邏輯芯片、存儲芯片、模擬芯片和專用芯片,以及傳感器和芯片模塊,從而計算出集成電路總量。

另外,2023年中國集成電路出口量下降1.8%至2678億塊,出口金額下降10.1%至1359億美元。2023年中國集成電路進口量下降10.8%至4795億塊,進口金額下降15.4%至3494億美元。

由于眾所周知的原因,近幾年我國中興通訊、華為以及眾多高科技公司在芯片,特別是高端芯片領域持續被打壓,有些技術和產品未獲許可無法獲得,而國內短期內也沒有辦法實現百分百替代。強化芯片自主研發,增強競爭力已經成為國內企業的共識。

在創新方面,這兩年來國產芯片在GPU芯片、射頻芯片、模擬芯片等領域都強化國產芯片替代,推動國產芯片自給率提升。

麥肯錫預測到2030年,汽車和工業部門將分別占芯片銷售額平均增長的14%和12%,從而推動這十年的需求增長,這說明了這些行業對芯片的需求不斷增長。盡管當前全球半導體市場出現短期低迷,但長期來看芯片需求有望呈現強勁增長態勢。

HBM 未來市場發展如何?

芯片銷售情況與世界經濟有大致相似的發展軌跡。由于這類零部件對許多產品而言越來越重要,它們已成為世界經濟發展狀況日益重要的衡量標準。據 Wccftech 報道,近年來高帶寬內存的需求急劇上升,尤其是隨著人工智能熱潮的到來,讓這一趨勢愈加明顯。

三星、SK 海力士和美光是 HBM 市場的三大巨頭,目前都在開發新產品,特別是 HBM4 等下一代技術受到了業界的極大關注,預計未來將占據主導地位。

以 HBM 為代表的超高帶寬內存技術生成類模型也會加速 HBM 內存進一步增大容量和增大帶寬。 算力驅動AI服務器出貨量迅猛增長,疊加GPU搭載HBM數量提升和HBM容量與價值增長,全球HBM市場規模有望從2023年的15億美元增至2030年的576億美元,對應2023-2030的年復合增長率達68.3%。

本研究咨詢報告由中研普華咨詢公司領銜撰寫,在大量周密的市場調研基礎上,主要依據了國家統計局、國家商務部、國家發改委、國家經濟信息中心、國務院發展研究中心、國家海關總署、全國商業信息中心、中國經濟景氣監測中心、中國行業研究網、國內外相關報刊雜志的基礎信息以及芯片專業研究單位等公布和提供的大量資料。

更多行業詳情請點擊中研普華產業研究院發布的《2024-2029年芯片產業現狀及未來發展趨勢分析報告》。

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