2024-2030年中國第三代半導體行業市場深度調研與發展趨勢報告

第一章 第三代半導體相關概述

1.1 第三代半導體基本介紹

1.1.1 基礎概念界定

1.1.2 主要材料簡介

1.1.3 歷代材料性能

1.1.4 產業發展意義

1.2 第三代半導體產業發展歷程分析

1.2.1 材料發展歷程

1.2.2 產業演進全景

1.2.3 產業轉移路徑

1.3 第三代半導體產業鏈構成及特點

1.3.1 產業鏈結構簡介

1.3.2 產業鏈圖譜分析

1.3.3 產業鏈生態體系

1.3.4 產業鏈體系分工

第二章 2022-2024年全球第三代半導體產業發展分析

2.1 2022-2024年全球第三代半導體產業運行狀況

2.1.1 政府部署情況

2.1.2 市場發展規模

2.1.3 行業技術進展

2.1.4 企業競爭格局

2.1.5 區域競爭格局

2.1.6 行業競爭趨勢

2.1.7 行業前景展望

2.2 美國

2.2.1 經費投入規模

2.2.2 產業技術優勢

2.2.3 技術研究中心

2.2.4 國家支持基金

2.2.5 產線建設動態

2.2.6 戰略層面部署

2.3 日本

2.3.1 產業發展計劃

2.3.2 封裝技術聯盟

2.3.3 產業重視原因

2.3.4 技術領先狀況

2.3.5 企業發展布局

2.3.6 國際合作動態

2.4 歐盟

2.4.1 企業布局情況

2.4.2 產業發展基礎

2.4.3 前沿企業格局

2.4.4 未來發展熱點

第三章 2022-2024年中國第三代半導體產業發展環境pest分析

3.1 政策環境（political）

3.1.1 中央部委政策支持

3.1.2 地方政府扶持政策

3.1.3 國家標準現行情況

3.1.4 中美貿易摩擦影響

3.2 經濟環境（economic）

3.2.1 宏觀經濟概況

3.2.2 工業運行情況

3.2.3 社會融資規模

3.2.4 宏觀經濟展望

3.3 社會環境（social）

3.3.1 社會教育水平

3.3.2 知識專利水平

3.3.3 研發經費投入

3.3.4 技術人才儲備

3.4 技術環境（technological）

3.4.1 專利申請狀況

3.4.2 科技計劃專項

3.4.3 制造技術成熟

3.4.4 產業技術聯盟

第四章 2022-2024年中國第三代半導體產業發展分析

4.1 中國第三代半導體產業發展特點

4.1.1 數字基建打開成長空間

4.1.2 背光市場空間逐步擴大

4.1.3 襯底和外延是關鍵環節

4.1.4 產業上升國家戰略層面

4.1.5 產業鏈向國內轉移明顯

4.2 中國第三代半導體產業發展綜述

4.2.1 產業發展現狀

4.2.2 產業標準規范

4.2.3 國產替代狀況

4.2.4 行業發展空間

4.3 2022-2024年中國第三代半導體市場運行狀況分析

4.3.1 市場發展規模

4.3.2 產業企業布局

4.3.3 產業區域發展

4.3.4 市場供需分析

4.4 2022-2024年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析

4.4.1 上游金屬硅產能釋放

4.4.2 上游氧化鋅市場現狀

4.4.3 上游材料產業鏈布局

4.4.4 上游材料競爭狀況分析

4.5 中國第三代半導體產業發展問題分析

4.5.1 技術缺乏市場競爭力

4.5.2 基礎研究能力欠缺

4.5.3 中試平臺成本高

4.5.4 制造技術未完全成熟

4.6 中國第三代半導體產業發展建議及對策

4.6.1 加大研發支持力度

4.6.2 完善產業體系生態

4.6.3 加快技術成果轉化

4.6.4 加強國際科技合作

第五章 2022-2024年第三代半導體氮化鎵（gan）材料及器件發展分析

5.1 gan材料基本性質及制備工藝發展狀況

5.1.1 gan產業鏈條

5.1.2 gan結構性能

5.1.3 gan制備工藝

5.1.4 gan材料類型

5.1.5 技術專利情況

5.1.6 技術發展趨勢

5.2 gan材料市場發展概況分析

5.2.1 項目建設動態

5.2.2 材料價格走勢

5.2.3 材料技術水平

5.2.4 市場應用進展

5.2.5 應用市場預測

5.2.6 市場競爭狀況

5.3 gan器件及產品研發情況

5.3.1 器件產品類別

5.3.2 gan晶體管

5.3.3 射頻器件產品

5.3.4 電力電子器件

5.3.5 光電子器件

5.4 gan器件應用領域及發展情況

5.4.1 電子電力器件應用

5.4.2 高頻功率器件應用

5.4.3 應用實現條件與對策

5.5 gan器件發展面臨的挑戰

5.5.1 器件技術難題

5.5.2 電源技術瓶頸

5.5.3 風險控制建議

第六章 2022-2024年第三代半導體碳化硅（sic）材料及器件發展分析

6.1 sic材料基本性質與制備技術發展狀況

6.1.1 sic性能特點

6.1.2 sic制備工藝

6.1.3 sic產品類型

6.1.4 單晶技術專利

6.1.5 技術難點分析

6.2 sic材料市場發展概況分析

6.2.1 產業鏈條分析

6.2.2 材料市場規模

6.2.3 市場價格走勢

6.2.4 市場供應分析

6.2.5 市場需求方分析

6.2.6 材料技術水平

6.2.7 市場龍頭企業

6.3 sic器件及產品研發情況

6.3.1 產品結構設計

6.3.2 電力電子器件

6.3.3 功率模塊產品

6.3.4 器件產品布局

6.4 sic器件應用領域及發展情況

6.4.1 sic下游主要應用場景

6.4.2 sic導電型器件應用

6.4.3 sic半絕緣型器件應用

6.4.4 sic新能源汽車領域應用

6.4.5 sic充電樁領域應用

第七章 2022-2024年第三代半導體其他材料發展狀況分析

7.1 ⅲ族氮化物半導體材料發展分析

7.1.1 基礎概念介紹

7.1.2 材料結構性能

7.1.3 材料制備工藝

7.1.4 主要器件產品

7.1.5 應用發展狀況

7.1.6 發展建議對策

7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發展分析

7.2.1 基本概念介紹

7.2.2 材料結構性能

7.2.3 材料制備工藝

7.2.4 主要應用器件

7.3 氧化鎵（ga2o3）半導體材料發展分析

7.3.1 材料結構性能

7.3.2 材料應用優勢

7.3.3 材料國外進展

7.3.4 國內技術進展

7.3.5 器件應用發展

7.3.6 未來發展前景

7.4 金剛石半導體材料發展分析

7.4.1 材料結構性能

7.4.2 材料研究背景

7.4.3 材料發展特點

7.4.4 主要器件產品

7.4.5 應用發展狀況

7.4.6 國產替代機遇

7.4.7 材料發展難點

第八章 2022-2024年第三代半導體下游應用領域發展分析

8.1 第三代半導體下游產業應用領域發展概況

8.1.1 下游應用產業分布

8.1.2 下游產業優勢特點

8.1.3 下游產業需求旺盛

8.2 2022-2024年電力電子領域發展狀況

8.2.1 全球市場發展規模

8.2.2 全球應用市場占比

8.2.3 國內市場發展規模

8.2.4 國內器件應用分布

8.2.5 器件發展趨勢分析

8.3 2022-2024年微波射頻領域發展狀況

8.3.1 射頻器件市場規模

8.3.2 射頻市場競爭分析

8.3.3 射頻器件市場需求

8.3.4 國防基站應用分析

8.3.5 射頻器件發展趨勢

8.4 2022-2024年半導體照明領域發展狀況

8.4.1 發展政策支持

8.4.2 產業鏈分析

8.4.3 led芯片發展

8.4.4 項目建設動態

8.4.5 企業競爭格局

8.5 2022-2024年半導體激光器發展狀況

8.5.1 產業鏈發展現狀

8.5.2 企業發展格局

8.5.3 產品結構分析

8.5.4 主要技術分析

8.5.5 國產化趨勢

8.6 2022-2024年5g新基建領域發展狀況

8.6.1 5g產業發展進程

8.6.2 行業投融資狀況

8.6.3 5g助推材料發展

8.6.4 材料應用發展方向

8.6.5 產業投資發展展望

8.7 2022-2024年新能源汽車領域發展狀況

8.7.1 新能源汽車整體產銷規模

8.7.2 新能源汽車板塊企業動態

8.7.3 新能源汽車市場集中度

8.7.4 充電基礎設施運行情況

8.7.5 設施與汽車的對比情況

第九章 2022-2024年第三代半導體材料產業區域發展分析

9.1 2022-2024年第三代半導體產業區域發展概況

9.1.1 產業區域分布

9.1.2 區域建設回顧

9.2 京津翼地區第三代半導體產業發展分析

9.2.1 北京產業發展狀況

9.2.2 順義產業發展情況

9.2.3 保定產業發展情況

9.2.4 應用聯合創新基地

9.2.5 區域未來發展趨勢

9.3 中西部地區第三代半導體產業發展分析

9.3.1 成都產業發展狀況

9.3.2 重慶產業發展狀況

9.3.3 西安產業發展狀況

9.4 珠三角地區第三代半導體產業發展分析

9.4.1 廣東產業發展狀況

9.4.2 廣州產業發展動態

9.4.3 深圳產業發展動態

9.4.4 東莞產業發展狀況

9.4.5 區域未來發展趨勢

9.5 華東地區第三代半導體產業發展分析

9.5.1 江蘇產業發展概況

9.5.2 蘇州工業園區發展

9.5.3 山東產業發展規劃

9.5.4 廈門產業發展狀況

9.5.5 區域未來發展趨勢

9.6 第三代半導體產業區域發展建議

9.6.1 提高資源整合效率

9.6.2 補足sic領域短板

9.6.3 開展關鍵技術研發

9.6.4 鼓勵地方加大投入

第十章 2022-2024年第三代半導體產業重點企業經營狀況分析

10.1 銘普光磁股份有限公司

10.1.1 企業發展概況

10.1.2 企業業務布局

10.1.3 經營效益分析

10.1.4 業務經營分析

10.1.5 財務狀況分析

10.1.6 核心競爭力分析

10.2 深圳華強實業股份有限公司

10.2.1 企業發展概況

10.2.2 企業業務布局

10.2.3 經營效益分析

10.2.4 業務經營分析

10.2.5 財務狀況分析

10.2.6 核心競爭力分析

10.3 北京賽微電子股份有限公司

10.3.1 企業發展概況

10.3.2 企業業務布局

10.3.3 經營效益分析

10.3.4 業務經營分析

10.3.5 財務狀況分析

10.3.6 核心競爭力分析

10.4 楚江科技新材料股份有限公司

10.4.1 企業發展概況

10.4.2 企業業務布局

10.4.3 經營效益分析

10.4.4 業務經營分析

10.4.5 財務狀況分析

10.4.6 核心競爭力分析

10.5 科創新源新材料股份有限公司

10.5.1 企業發展概況

10.5.2 企業業務布局

10.5.3 經營效益分析

10.5.4 業務經營分析

10.5.5 財務狀況分析

10.5.6 核心競爭力分析

第十一章 第三代半導體產業投資價值綜合評估

11.1 行業投資背景

11.1.1 行業投資規模

11.1.2 投資市場周期

11.1.3 行業投資價值

11.2 行業投融資情況

11.2.1 國際投資案例

11.2.2 國內投資項目

11.2.3 國際企業并購

11.2.4 國內企業并購

11.2.5 企業融資動態

11.3 行業投資壁壘

11.3.1 技術壁壘

11.3.2 資金壁壘

11.3.3 貿易壁壘

11.4 行業投資風險

11.4.1 企業經營風險

11.4.2 技術迭代風險

11.4.3 行業競爭風險

11.4.4 產業政策變化風險

11.5 行業投資建議

11.5.1 積極把握5g通訊市場機遇

11.5.2 收購企業實現關鍵技術突破

11.5.3 關注新能源汽車催生需求

11.5.4 國內企業向idm模式轉型

11.5.5 加強高校與科研院所合作

11.6 投資項目案例

11.6.1 項目基本概述

11.6.2 項目建設必要性

11.6.3 項目建設可行性

11.6.4 項目投資概算

11.6.5 項目建設周期

11.6.6 項目經濟效益

第十二章 2024-2030年第三代半導體產業前景與趨勢預測

12.1 第三代半導體未來發展趨勢

12.1.1 產業成本趨勢

12.1.2 未來發展趨勢

12.1.3 應用領域趨勢

12.2 第三代半導體未來發展前景

12.2.1 重要發展窗口期

12.2.2 產業應用前景

12.2.3 產業發展機遇

12.2.4 產業市場機遇

12.2.5 產業發展展望

12.3 2024-2030年中國第三代半導體行業預測分析

12.3.1 中國第三代半導體行業發展驅動五力模型分析

12.3.2 2024-2030年中國第三代半導體產業電子電力和射頻電子總產值預測

圖表目錄

圖表：第三代半導體特點

圖表：第三代半導體主要材料

圖表：不同半導體材料性能比較（一）

圖表：不同半導體材料性能比較（二）

圖表：碳化硅、氮化鎵的性能優勢

圖表：半導體材料發展歷程及現狀

圖表：半導體材料頻率和功率特性對比

圖表：第三代半導體產業演進示意圖

圖表：第三代半導體產業鏈

圖表：第三代半導體襯底制備流程

圖表：第三代半導體產業鏈全景圖譜

圖表：第三代半導體健康的產業生態體系

圖表：全球部分國家/地區第三代半導體材料行業發展環境分析

圖表：2022-2024年全球第三代半導體材料（sic功率器件、gan射頻器件）市場規模

圖表：國際sic代表企業技術進展情況

圖表：2024年全球碳化硅襯底市占率

圖表：國外碳化硅外延廠商產品/產能布局

圖表：全球gan射頻元器件市場企業競爭梯隊

圖表：全球碳化硅（sic）區域發展格局

圖表：2024年全球氮化鎵（gan）區域競爭格局

圖表：全球第三代半導體材料行業競爭趨勢分析