阿斯麥,四季度新預定額為92億歐元,其中56億歐元為EUV光刻機。
阿斯麥,四季度新預定額為92億歐元,其中56億歐元為EUV光刻機。
數據顯示,2022年全球光刻機市場超過200億美元,ASML、Canon、Nikon三大巨頭壟斷了大部分市場份額,光刻機營收分別達到了161億美元、20億美元、15億美元,市場份額分別為82%、10%、8%。
在超高端的EUV光刻機上,基本上ASML處于壟斷地位。從2022年收入來源看,中國大陸占ASML銷售額的14%。
安信證券研報認為,光刻機是芯片制造核心設備,對制程升級發揮關鍵作用,國產光刻機在技術節點上與國際廠商相比仍有差距。光刻機是“工業王冠上的寶石”,是芯片制造中最復雜、最昂貴的設備,國產替代勢在必行。
光刻機是一種利用光學原理將電路圖案轉移到硅片上的設備,相當于芯片制造的“打印機”,決定著芯片的工藝水平和性能,是芯片制造中的關鍵核心設備,也是半導體產業核心中的核心。
光刻機的工作原理,或者說現代芯片制作的基本原理本身并不難懂,這個過程大致包括:(1)畫出線路圖;(2)把線路圖刻到玻璃板上,制成掩膜(也叫光罩);
(3)把掩膜上的線路圖用強光投射到涂了光刻膠的硅片(晶圓)上,光刻膠被強光照射的部分變得可以溶解,這樣就在硅片上曝光出了線路圖;(4)對硅片上的線路圖多次使用刻蝕、擴散、沉積等工藝做出復雜的晶體管和電路網絡。
光刻機作為集成電路制造中最關鍵的設備,對芯片制作工藝有著決定性的影響,被譽為“超精密制造技術皇冠上的明珠”,制造和維護均需要高度的光學和電子工業基礎。
而光刻技術則是制造集成電路的關鍵技術,是通過紫外光、準分子激光、電子束等廣義光源和與其敏感的光刻膠之間的相互作用在基板上形成微納結構圖形的技術。
從產業鏈來看,光刻機上游產業鏈主要包括測量臺與曝光臺(雙工件臺)、激光器、光速矯正器、能量控制器、光速形狀設置、遮光器、能量探測器、掩膜版、掩膜臺、物鏡、內部封閉框架和減震器等11個模塊的組件。
上游最為核心設備分別為光學鏡頭、光學光源和雙工件臺。光刻機行業的下游主要是圓晶代工企業,下游主要決定了光刻機市場的需求。
光刻機作為半導體產業鏈中技術要求最高的設備,市場高度集中背景,市場主流產品基本來自前三大企業。
就細分產品類型而言,EUV作為唯一能夠制備7nm及以下工藝的光刻機,采用EUV光源,使用的光波波長只有13.5nm, NA (數值孔徑)為0.33, 目前全球只有ASML能生產EUV光刻機。 隨著高端芯片持續上升,EUV銷量穩步擴張,是光刻機市場規模增長的主要動力。
據中研產業研究院《2024-2029年光刻機行業市場深度分析及發展規劃咨詢綜合研究報告》分析:
全球光刻機市場幾乎被荷蘭的阿斯麥(ASML)、日本的佳能和尼康壟斷,其中ASML更是獨占高端極紫外光刻機(EUV)的市場份額。隨著這些國家對中國半導體制造設備實施出口限制,中國獲取高端光刻機的難度將進一步加大。
半導體產業具有周期性波動特征,產能過剩和需求不足會導致光刻機產量下降。而近些年中國光刻機國產化進程加快,盡管中國的光刻機產業取得了一定的發展,但與國際領先水平相比,仍存在一些技術限制,尤其是高端光刻機技術受制于國外供應商。
根據數據顯示,2022年中國光刻機產量約為95臺,需求量約為652臺。光刻機的研發、制造和維護成本較高,特別是高性能光刻機。
然而,在市場競爭加劇的情況下,制造商為了降低成本和提高競爭力,不得不考慮降低價格。這導致了市場均價的下降。2022年中國光刻機均價約為2267.2萬元/臺。
2022年11月15日,國家知識產權局公布了華為的一項新專利“反射鏡、光刻裝置及其控制方法”(CN115343915A),這是在EUV光刻機核心技術上取得的突破性進展。
另外,華中科技大學研制的OPC系統、哈爾濱工業大學研制的激光干涉系統等,也各自有所突破。同時,我國也在加快推進14納米、7納米甚至更低節點的光刻機研發工作。
我國可量產90納米以上的光刻機,與國際先進水平雖有差距,但也能滿足國內市場部分需要。這表明,我國在光刻機領域具有一定的技術積累和人才儲備,有望逐步縮小與國際先進水平的差距。
在未來的幾年中,這個行業將會面臨哪些新的挑戰和機遇?
報告對我國光刻機行業的供需狀況、發展現狀、子行業發展變化等進行了分析,重點分析了國內外光刻機行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、行業的發展建議、行業競爭力,以及行業的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了光刻機行業的整體發展動態,對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。
想要了解更多光刻機行業詳情分析,可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年光刻機行業市場深度分析及發展規劃咨詢綜合研究報告》。
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2024-2029年光刻機行業市場深度分析及發展規劃咨詢綜合研究報告
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